• 兼容先进工艺：UEM IP当前可在28/22nm量产，未来会拓展至12nm
• 成本低：只需增加2层Mask，芯片制造成本大幅降低
• 密度高：ReRAM密度是同工艺节点SRAM的3倍
• 成本低：可代替SRAM/OTP/NOR Flash三种存储介质，有效降低成本
• 系统简单：节省片外的NOR Flash，降低模组FPC设计的复杂性
• 密度高：ReRAM密度是SRAM的3~4倍
• 功耗低：ReRAM漏电与读功耗均远低于SRAM
产品资讯：marketing@innostar-semi.com
人才招聘：Recruiting@innostar-semi.com
