DRAM读写速度很快，但是无法下电保存数据，NAND Flash密度高，可以下电保存数据，但是读写速度延迟高。高速计算、5G、万物互联等应用场景正在推动数据中心、智能终端的高速增长和转型，对数据中心和智能终端提出了性能的更高要求，其中降低成本和运行功耗是亟需解决的核心“存储墙”问题。
昕原半导体高密度ReRAM存储产品，能为数据中心、智能终端用户提供DRAM+ReRAM+NAND Flash的存储方案，通过利用ReRAM密度高、能耗低、读写速度快及可下电数据保存的特点，帮助用户大幅提升数据中心性能，降低能耗，达到运营成本的大幅降低。
智慧物联网主要由微型设备组成，供电能力弱且需要数据实时交互，因此不仅要求存储器件低功耗，也需要高速度和低延迟。昕原半导体的ReRAM新型存储技术具备比现有存储产品在读写速度和功耗几倍到几百倍的提升，并可实现更高的存储密度。
此外，智慧物联网数据要求具备基本的信息安全和隐私保护能力。昕原半导体基于ReRAM的存储芯片，具备物理不可克隆函数（PUF，Physically Unclonable Function），赋能每颗存储芯片唯一信任根和唯一主动标识ID，结合通用密码算法，实现数据和程序的防复制和防篡改能力。PUF是一种利用芯片在半导体生产过程中的工艺波动性来生成芯片唯一函数，能够做到一芯一密，可称之为“芯片指纹”，具有较强的技术稀缺性。昕原半导体的ReRAM存储芯片可以同时解决现有物联网设备的成本、功耗、性能、安全问题，为万物智联时代提供最优的存储和安全方案。
人工智能开辟了计算的新纪元，对存储和计算提出了更高的要求。目前以GPU/GPGUP为主流计算方案依然延续冯·诺依曼结构，存储单元和计算单元独立分开，由于传统存储器的性能已远远落后于处理器，频繁的数据搬移需要消耗大量时间和能量，“能效比低”已经成为人工智能芯片的瓶颈问题。
昕原半导体为人工智能芯片用户提供存算一体阵列单元，用户通过ReRAM阵列将存储单元和计算单元融为一体，消除了数据访存带来的延迟和功耗，实现更高的算力和更高的能效比。同时，昕原半导体的ReRAM存算阵列还具有制造兼容CMOS工艺的特性，芯片用户可以直接与处理逻辑一起共同集成在芯片上，实现全新的以存储器为中心的异构计算架构，帮助客户实现高算力密度、高计算精度、高能效比和低成本的人工智能推理芯片。
