URM（Ultra Reliable Memory）是基于ReRAM的独立式存储芯片，具备宽温、抗辐照、高性能等特性，是汽车、工业、航天等领域最佳的存储解决方案。
宽温特性：URM具备-40℃~125℃宽温工作范围，符合AECQ-100 Grade1要求
高性能与低功耗：URM读取速度高达800MB/s，且功耗只有同速率的NOR Flash的1/4
• 最高支持800MB/s的读取速度 (200MHz,X16 I/O DDR)
• 支持不同的读取速度 (X1 X4 X8 X16 I/O SDR DDR)
• 支持SPI/QSPI/OSPI/HEX SPI等接口的XIP执行
• I/O电压最低支持1.2V，相对于1.8V I/O可降低1/3 传输功耗
• 读功耗低于8mA (200MHz X8 I/O) 是同速率PSRAM的1/3
• 读功耗低于2mA (120MHz X4 I/O) 是同速率NOR Flash的1/4
