小昕笔记：
在当下数据驱动的智能社会中，市场对存储器提出了更高的要求：具备更快更高质量的数据获取与处理能力、更智能的数据保存与管理能力，同时更要求数据具备基本的信息安全和隐私保护能力。
因其高速、低功耗、高密度的特性，ReRAM新型存储技术在与现有存储产品对比中，已具备较为明显的优势，并凭借更多的优秀特性，满足不同应用领域的需求。
近日，据国际媒体报道，经过对ReRAM存储单元进行了逐层剥离（delayering）与探测的实验，发现即便通过如此复杂的技术，依然无法从外部物理性地读取ReRAM单元中的信息。相关研究显示，ReRAM天然具有可抵抗物理攻击的能力，可极大提升存储安全性。
小昕精选译文：
ReRAM证明天然可抵抗物理攻击
可极大提升存储安全性
据美通社报道，CrossBar（专注ReRAM新型存储技术公司）宣布，其致力研发的ReRAM存储技术可应用于安全存储和处理领域。而对于安全存储和处理系统来说，基本的要求是具备抵御逆向工程和物理攻击的能力。
CrossBar的ReRAM技术已被用作高性能、高密度的可多次可编程的非易失性存储器。如今，ReRAM技术也被验证可应用于需要更高内容安全性的存储器应用。MicroNet Solutions（一家专注研究复杂电路逆向软件工程的公司）通过成像技术，对CrossBar的ReRAM存储单元进行了逐层剥离（delayering）与探测，尝试获取其存储的内容。
MicroNet Solutions 总裁Michael Strizich 表示：“我们使用了较为复杂的技术，例如测量电子束诱生电流和被动式电压对比成像等。利用这些技术进行缜密评估后，仍然无法获取存储阵列的数据信息。”
ReRAM单元可抵御物理入侵
因其基本结构的特性，CrossBar的ReRAM单元天然带有抵御性，可抵挡针对存储中敏感数据信息的物理黑客攻击。即使在硅片进行逐层剥离后，也无法通过电、磁或成像技术从外部读取物理ReRAM单元中的信息。
此外，ReRAM单元是垂直制造的，位于金属层之间，并且具有非常小的横截面积，使得在试图确定其存储信息时，几乎不可能测量其阻值信息。
与OxRAM不同，CrossBar的ReRAM存储器利用随机电化学离子运动来实现存储的功能，这种电化学离子的运动，更难以分析推断ReRAM的存储信息。基于ReRAM的存储单元。具有不可克隆的微观结构变化，而且即便是使用侵入性技术检测，例如FIB（聚焦离子束）或SEM（扫描电子显微镜）或TEM（透射电子显微镜）采样，也无法检测到这些微观结构的变化。举个例子，在TEM（透射电子显微镜）成像中，保持数据状态为"1"或"0"的两个ReRAM存储单元，拥有一样的物理外观，几乎不可能辨别不同的状态。因此，在ReRAM存储器或PUF（物理不可克隆功能）中生成的内容，在物理上不可追踪。
CrossBar的ReRAM技术实现了一种新的计算和存储类型，可满足需要提高安全性的高性能、高密度存储器的需求，可以应用于例如金融和数字资产等领域。
